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申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司
摘要：本发明涉及半导体材料的技术领域，公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，所述外延片包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层和P型GaN层；所述多量子阱层具有V型坑结构；其中，所述低温P型层包括由下至上依次层叠的AlN层、Mg‑AlInGaN层和Mg‑InGaNAlGaN超晶格结构层。实施本发明，能够提高活化Mg浓度，提高空穴浓度，提高空穴注入效率，减少电子溢流效应，减少发光二极管漏电，提升发光二极管的发光效率和发光亮度。
主权项：1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，包括衬底，在所述衬底上依次层叠的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、低温P型层、电子阻挡层和P型GaN层；所述多量子阱层具有V型坑结构；其中，所述低温P型层包括由下至上依次层叠的AlN层、Mg-AlInGaN层和Mg-InGaNAlGaN超晶格结构层。
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百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种发光二极管的外延片及其制备方法
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