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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：本申请涉及制造用于DRAM的电容器的方法及电子设备。所述方法包括：在衬底上沉积第一导电层；在所述第一导电层的远离所述衬底的一侧沉积介电质层；在所述介电质层的远离所述衬底的一侧沉积覆盖层；对所述第一导电层、所述介电质层和所述覆盖层进行退火；刻蚀去除所述覆盖层；在经退火的介电质层的远离所述衬底的一侧沉积第二导电层。本申请通过对第一导电层、介电质层和覆盖层进行退火，利用覆盖层在退火时为介电质层提供的应力作用，抑制非晶态的介电质层材料在退火结晶时的纵向结晶，有效促进介电质层材料的晶粒横向结晶，提高了介电质层材料的结晶质量，提升介电常数值，减少漏电通路，降低漏电，从而显著提高电容的存储能力。
主权项：1.一种制造用于DRAM的电容器的方法，其特征在于，包括：在衬底上沉积第一导电层；在所述第一导电层的远离所述衬底的一侧沉积介电质层；在所述介电质层的远离所述衬底的一侧沉积覆盖层；对所述第一导电层、所述介电质层和所述覆盖层进行退火；刻蚀去除所述覆盖层；在经退火的介电质层的远离所述衬底的一侧沉积第二导电层；其中，所述覆盖层配置为能够使所述介电质层中的晶粒在退火过程中沿着平行于所述衬底的方向横向生长。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 制造用于DRAM的电容器的方法及电子设备
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