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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种异质结功率器件，包括栅槽、第一栅极、外延层、第一栅氧化层和设置于所述栅槽中且与所述外延层连接的第一半导体层，所述第一栅氧化层位于所述第一栅极和第一半导体层之间，第一半导体层为硅材料，外延层为碳化硅材料。本发明的异质结功率器件，设置SiC‑Si的异质结，综合利用SiC高击穿特性和Si高迁移率特性，可以提高功率器件的静态性能。本发明还公开了一种异质结功率器件的制造方法。
主权项：1.异质结功率器件，其特征在于，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；栅槽，位于所述外延层远离所述半导体衬底的一侧；第一栅极，位于所述栅槽内；第一栅氧化层，位于所述第一栅极和所述外延层之间；第一半导体层，位于所述第一栅氧化层和所述外延层之间，其中，第一半导体层为硅材料，外延层为碳化硅材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽长飞先进半导体有限公司 异质结功率器件及其制造方法
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