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申请/专利权人：山东同益光刻胶材料科技有限公司
摘要：本发明适用于电路制备技术领域，提供了一种新型图案化微纳米铜电路的制备方法，包括如下步骤：对基底材料进行磁控溅射处理；在磁控溅射表面均匀旋涂光刻胶，并光刻形成光刻胶掩膜和光刻空间；在光刻空间部分进行电镀铜，形成镀铜层，得到化学镀电路版图；去除化学镀电路版图的光刻胶掩膜；微刻蚀除去被光刻胶覆盖的磁控溅射金属层，获得带有金属电路精细微图案化的高分子材料。借此，本发明能够得到边缘整齐光滑且精度非常高、且高深宽比优异的铜金属电路，同时，本发明产生的铜离子废水量少，极大程度上降低对环境的污染程度。
主权项：1.一种新型图案化微纳米铜电路的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：材料磁控溅射将基底材料经过磁控溅射过程，在基底材料表面形成一层40～200nm的磁控溅射铜层；得到活化基底；步骤二：光刻在所述活化基底表面均匀旋涂光刻胶，形成光刻胶层，经过前烘、曝光、后烘、显影、坚膜处理获得光刻电路版图，在活化基底上形成光刻胶掩膜和光刻空间；步骤三：电镀对经过光刻胶掩膜后的活化基底进行电镀，形成光刻胶掩膜的部分不能形成电镀铜层，光刻空间暴露在电镀液中，形成电镀铜层，电镀铜层依据光刻电路版图形成图案，得到电镀电路版图；步骤四：去胶将所述电镀电路版图用与光刻胶匹配的去胶液清洗，除去光刻胶掩膜，暴露出表面未经电镀铜处理的磁控溅射铜层；步骤五：微刻蚀将去胶后的电镀电路版图用刻蚀液处理，除去基底材料表面的磁控溅射铜层；获得带有金属电路精细微图案化的材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东同益光刻胶材料科技有限公司 一种新型图案化微纳米铜电路的制备方法
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