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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制备方法，包括以下步骤：1利用化学气相沉积生长制备异质结衬底材料WSe2纳米片：2将Bi2Se3或者Bi2Te3前驱体以特定摩尔比例混合放入双温区管式炉中心加热，将步骤1中获得的衬底材料WSe2纳米片置于管内下游，通过调控管式炉生长温度气体等参数制备WSe2Bi2Te3‑xSex0≤x≤3异质结，再在所述异质结表面沉积金属电极。本发明制备出的光电探测器件在激光波长为535nm的探测性能优异并且稳定重复性高；且在相同波长光激发下响应度和比探测率较高x＝3，响应时间较短x＝0。制备出的发光二极管器件在单个二维异质结构发光二极管器件中表现出最高的亮度，并且比基于二维过渡金属硫族化合物的所有其他p‑n二极管具有更高的电致发光量子效率。
主权项：1.一种基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件的制备方法，包括以下步骤：1利用化学气相沉积生长制备异质结衬底材料WSe2纳米片：将WSe2前驱体置于双温区管式炉内部，并且在管式炉下游放置衬底制备成单层WSe2纳米片；2利用化学气相沉积法制备合金Bi2Te3-xSex，将Bi2Se3前驱体和Bi2Te3前驱体按摩尔比例混合放入双温区中心加热，将步骤1中获得的衬底材料WSe2纳米片置于管内下游，通过调控管式炉生长温度气体等参数制备WSe2Bi2Te3-xSex0≤x≤3异质结，再在所述异质结表面沉积金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 基于二维异质结的连续宽范围能带调控光电器件及其制法
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