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一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用 

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申请/专利权人:电子科技大学长三角研究院(湖州)

摘要:本发明公开了一种双金属氧化物半导体气敏材料、制备方法及其应用,涉及气体传感器技术领域,该材料是氧化铈(CeO2)和过渡金属氧化物(MOx,M为Fe、Ni、Mn、Co、Ti、Cu、Zn中的其中一种)原位组装形成的Ce‑M‑O双金属氧化物,两组分通过掺杂和形成异质结的方式均匀紧密地复合在一起,组分间具有强相互作用。所得材料对乙酸乙酯气体表现出三十万的超强气敏响应值(RaRg)和低于5秒的超快恢复时间,检测限低至10ppb,且原材料成本低廉,在气体传感领域展现出广阔的应用前景。

主权项:1.一种双金属氧化物半导体气敏材料的应用,其特征在于,应用于乙酸乙酯气体的检测,所述的双金属氧化物半导体气敏材料,包括MOx和CeO2双种组分,M为Fe、Ni、Mn、Co、Ti或Zn,两组分通过掺杂或形成异质结的方式均匀紧密地结合在一起,MOx和CeO2的摩尔比为1:1-10:1;所述的双金属氧化物半导体气敏材料的制备方法,包括如下步骤:(1)前驱体制备:一定摩尔比的六水硝酸铈、MOx对应硝酸盐和柠檬酸溶于去离子水中,充分搅拌混合后,在50-100℃下水浴蒸干至胶状,再将胶状物质转移至烘箱中,在60-180℃下发泡、烘干,即得复合材料的前驱体;(2)退火处理:将前驱体粉末转移至马弗炉中,在250-700℃下退火处理2-12小时,即得双金属氧化物半导体气敏材料。

全文数据:

权利要求:

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