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申请/专利权人：特里纳米克斯股份有限公司

摘要：提出了一种用于确定至少一个存储单元112中的填充水平的方法。该方法包括以下步骤：a采用包括多个照射特征118的至少一个照射图案116照射存储单元112，并确定存储单元112的至少一个反射图像；b选择反射图像中的至少一个第一反射特征和至少一个第二反射特征；c对于第一反射特征，响应于第一反射特征对具有光学传感器124矩阵的至少一个传感器元件120的照射而生成至少两个第一传感器信号，并且对于第二反射特征，响应于第二反射特征对传感器元件120的照射而生成至少两个第二传感器信号，光学传感器124各自具有光敏区域；d评估在步骤c中生成的两个第一传感器信号，从而确定第一反射特征的至少一个第一纵向坐标z1，并评估在步骤c中生成的两个第二传感器信号，从而确定第二反射特征的至少一个第二纵向坐标z2；e在反射图像中确定第一反射特征的至少一个位置x1，y1和第二反射特征的至少一个位置x2，y2并确定第一反射特征的至少一个第一矢量x1，y1，z1和第二反射特征的至少一个第二矢量x2，y2，z2；f根据第一矢量和第二矢量确定至少一个高度图，并由此确定存储单元中的填充水平。

主权项：1.一种用于确定至少一个存储单元112中的填充水平的方法，包括以下步骤：a采用包括多个照射特征118的至少一个照射图案116照射所述存储单元112，并确定所述存储单元112的至少一个反射图像；b选择所述反射图像的至少一个第一反射特征和所述反射图像的至少一个第二反射特征；c对于所述第一反射特征，响应于所述第一反射特征对具有光学传感器124矩阵的至少一个传感器元件120的照射而生成至少两个第一传感器信号，以及对于所述第二反射特征，响应于所述第二反射特征对所述传感器元件120的照射而生成至少两个第二传感器信号，所述光学传感器124各自具有光敏区域；d评估在步骤c中生成的所述两个第一传感器信号，从而确定所述第一反射特征的至少一个第一纵向坐标z1，以及评估在步骤c中生成的所述两个第二传感器信号，从而确定所述第二反射特征的至少一个第二纵向坐标z2，e在所述反射图像中确定所述第一反射特征的至少一个位置x1，y1和所述第二反射特征的至少一个位置x2，y2，以及确定所述第一反射特征的至少一个第一矢量x1，y1，z1和所述第二反射特征的至少一个第二矢量x2，y2，z2；f根据所述第一矢量和所述第二矢量确定至少一个高度图，并由此确定所述存储单元中的所述填充水平。

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百度查询： 特里纳米克斯股份有限公司 用于确定至少一个存储单元中的填充水平的方法和装置