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存储器、存储器的操作方法及存储系统 

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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司

摘要:本申请公开了一种存储器、存储器的操作方法及存储系统,属于存储技术领域。该存储器包括:位线放电电路和耦接到位线放电电路的位线;位线放电电路包括晶体管、控制支路和第一放电支路;晶体管的栅极与控制支路连接,晶体管的源极和漏极中的一个电极与第一放电支路连接,晶体管的源极和漏极中的另一个电极与位线连接;控制支路用于导通晶体管;第一放电支路用于在晶体管导通的情况下,以设定的放电速度对位线进行放电。在本申请提供的存储器中,能够利用第一放电支路以设定的放电速度对位线进行放电,位线放电的速度是可控的,位线放电的稳定性较高,有利于提高存储器在位线放电过程中的工作稳定性。

主权项:1.一种存储器,其特征在于,所述存储器包括:位线放电电路和耦接到所述位线放电电路的位线;所述位线放电电路包括晶体管11、控制支路12和第一放电支路13;其中,所述晶体管11的栅极111与所述控制支路12连接,所述晶体管11的源极和漏极中的一个电极112与所述第一放电支路13连接,所述晶体管11的源极和漏极中的另一个电极113与所述位线连接;所述控制支路12用于导通所述晶体管11;所述第一放电支路13用于在所述晶体管11导通的情况下,以设定的放电速度对所述位线进行放电。

全文数据:

权利要求:

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