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申请/专利权人：郑州大学

摘要：本发明公开了一种热控多波带完美吸波体及其应用，整体结构自上而下由三层构成。上层是周期性排列的方括号锑化铟阵列，中间层是SiO2介质，下层是金属层。室温下，通过合理设定单元结构的几何参数可以同时实现3个完美吸收峰。本发明图形结构简单，完美吸收峰的个数可从2个自由调谐到5个。利用半导体锑化铟材料对温度的敏感特性，温度升高可使吸收峰整体表现出明显的红移。该结构具有较高的温度灵敏度（22GHzK），较小的半高宽FWHM（0.06THz）和较高的折射率灵敏度287GHzRIU。这种热控多波带锑化铟完美吸波体在热控滤波、热生物传感、热成像和探测等方面具有广泛的应用前景。

主权项：1.一种热控多波带锑化铟完美吸波体，其特征在于，包括从上到下依次排布的锑化铟图案层、二氧化硅中间介质层、金属基底层，所述锑化铟图案层由结构单元周期性排列构成，所述结构单元为方括号形状体，改变方括号形状体的参数以实现锑化铟完美吸收峰从2个自由调谐到5个，可改变参数包括左侧方括号形状体的侧边宽度w1、左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w2、右侧方括号形状体的侧边宽度w3、右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w4、方括号形状体内侧边到中心轴的距离d中的一个；左侧方括号形状体的侧边宽度w1=5μm～9μm，左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w2=3μm～5μm，右侧方括号形状体的侧边宽度w3=5μm～9μm，右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w4=3μm～5μm，方括号形状体内侧边到中心轴的距离d=5.4μm～7.4μm；锑化铟图案层的结构单元的左侧方括号形状体的侧边宽度w1、左侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w2、右侧方括号形状体的侧边宽度w3、右侧方括号形状体上下两边从内侧边凸出的宽度w4的参数设置为w1=w2=w3=w4=5μm，方括号形状体内侧边到中心轴的距离d=7.4μm以实现产生3个100%的完美吸收峰；所述结构单元沿x、y轴的周期Px=Py=34.5μm～35.5μm，方括号形状体外侧边的长度l1=14.9μm～15.1μm，方括号形状体的上下两边的宽度l2=4.9μm～5.1μm。

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百度查询： 郑州大学 一种热控多波带锑化铟完美吸波体及其应用