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申请/专利权人：西北工业大学
摘要：本发明涉及一种基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构，该光电耦合钙钛矿忆阻器包括：形成有MOSFET结构的1T1R底座和位于1T1R底座上的RRAM结构，其中，RRAM结构包括底电极、钙钛矿层、顶电极、透光绝缘层和Ga2O3层，底电极位于1T1R底座上且与MOSFET结构的漏极电连接；钙钛矿层位于底电极上；顶电极位于钙钛矿层上；透光绝缘层位于钙钛矿层上且与顶电极相接触；Ga2O3层设置在透光绝缘层上。该光电耦合忆阻器不仅可以通过不同光信号改变自身阻值，实现信息的写入与存储，并通过施加负电脉冲实现信息的擦除，还可以作为单个忆阻器运用到人工神经网络的运算与非易失性状态逻辑运算当中。
主权项：1.一种基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器，其特征在于，包括：形成有MOSFET结构130的1T1R底座和位于所述1T1R底座上的RRAM结构140，其中，所述RRAM结构140包括底电极141、钙钛矿层142、顶电极143、透光绝缘层144和Ga2O3层145，所述底电极141位于所述1T1R底座上且与所述MOSFET结构130的漏极131电连接；所述钙钛矿层142位于所述底电极141上；所述钙钛矿层142的材料包括CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3中的一种或多种；所述顶电极143位于所述钙钛矿层142上；所述透光绝缘层144位于所述钙钛矿层142上且与所述顶电极143相接触；所述透光绝缘层144的材料包括Al2O3、HfO2、ZrO2、PMMA、MgF2中的一种或多种；所述Ga2O3层145位于所述透光绝缘层144上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西北工业大学 基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构
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