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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其制备方法、半导体器件，涉及半导体制造技术领域，包括IGBT版图层，IGBT版图层包括沿第一方向依次间隔排布的多个单元区；其中，多个单元区中每个单元区包括多个条状沟槽区及多个条状发射极注入区，多个条状发射极注入区沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，多个条状沟槽区沿第二方向延伸且沿第一方向间隔排布。栅条层，周向环绕多个单元区。离子注入区，位于沿第二方向相邻的条状发射极注入区之间、栅条层与相邻条状发射极注入区之间，以及栅条层与相邻条状沟槽区之间。在无发射极掩膜版下，可保证小pitchIGBT具有短路能力，节省一张发射极掩膜版，节约制造成本。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：IGBT版图层，包括沿第一方向依次间隔排布的多个单元区；其中，所述多个单元区中每个单元区包括多个条状沟槽区及多个条状发射极注入区，所述多个条状发射极注入区沿所述第一方向延伸且沿第二方向间隔排布，所述多个条状沟槽区沿所述第二方向延伸且沿所述第一方向间隔排布；栅条层，周向环绕所述多个单元区；离子注入区，位于沿所述第二方向相邻的条状发射极注入区之间、所述栅条层与相邻条状发射极注入区之间，以及所述栅条层与相邻条状沟槽区之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构及其制备方法、半导体器件
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