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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本公开涉及具有高k栅极电介质层的半导体器件。半导体器件包括：设置在衬底之上第一区域中的第一栅极结构，包括第一N型高k栅极电介质层；设置在衬底之上第二区域中的第二栅极结构，包括第一P型高k栅极电介质层；设置在衬底之上第三区域中的第三栅极结构，包括第二N型高k栅极电介质层；设置在衬底之上第四区域中的第四栅极结构，包括第二P型高k栅极电介质层。第一N型高k栅极电介质层包括第一浓度的N型偶极子材料。第一P型高k栅极电介质层包括第二浓度的P型偶极子材料。第二N型高k栅极电介质层包括第三浓度的N型偶极子材料。第二P型高k栅极电介质层包括第四浓度的P型偶极子材料。第一浓度高于第三浓度，第二浓度高于第四浓度。
主权项：1.一种半导体器件，包括：设置在衬底之上的第一区域中的第一栅极结构，所述第一栅极结构包括第一N型高k栅极电介质层；设置在所述衬底之上的第二区域中的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括第一P型高k栅极电介质层；设置在所述衬底之上的第三区域中的第三栅极结构，所述第三栅极结构包括第二N型高k栅极电介质层；以及设置在所述衬底之上的第四区域中的第四栅极结构，所述第四栅极结构包括第二P型高k栅极电介质层，其中：所述第一N型高k栅极电介质层包括具有第一浓度的N型偶极子材料，所述第一P型高k栅极电介质层包括具有第二浓度的P型偶极子材料，所述第二N型高k栅极电介质层包括具有第三浓度的N型偶极子材料，所述第二P型高k栅极电介质层包括具有第四浓度的P型偶极子材料，所述第一浓度高于所述第三浓度，以及所述第二浓度高于所述第四浓度。
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