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申请/专利权人:爱思开海力士有限公司
摘要:本公开涉及具有高k栅极电介质层的半导体器件。半导体器件包括:设置在衬底之上第一区域中的第一栅极结构,包括第一N型高k栅极电介质层;设置在衬底之上第二区域中的第二栅极结构,包括第一P型高k栅极电介质层;设置在衬底之上第三区域中的第三栅极结构,包括第二N型高k栅极电介质层;设置在衬底之上第四区域中的第四栅极结构,包括第二P型高k栅极电介质层。第一N型高k栅极电介质层包括第一浓度的N型偶极子材料。第一P型高k栅极电介质层包括第二浓度的P型偶极子材料。第二N型高k栅极电介质层包括第三浓度的N型偶极子材料。第二P型高k栅极电介质层包括第四浓度的P型偶极子材料。第一浓度高于第三浓度,第二浓度高于第四浓度。
主权项:1.一种半导体器件,包括:设置在衬底之上的第一区域中的第一栅极结构,所述第一栅极结构包括第一N型高k栅极电介质层;设置在所述衬底之上的第二区域中的第二栅极结构,所述第二栅极结构包括第一P型高k栅极电介质层;设置在所述衬底之上的第三区域中的第三栅极结构,所述第三栅极结构包括第二N型高k栅极电介质层;以及设置在所述衬底之上的第四区域中的第四栅极结构,所述第四栅极结构包括第二P型高k栅极电介质层,其中:所述第一N型高k栅极电介质层包括具有第一浓度的N型偶极子材料,所述第一P型高k栅极电介质层包括具有第二浓度的P型偶极子材料,所述第二N型高k栅极电介质层包括具有第三浓度的N型偶极子材料,所述第二P型高k栅极电介质层包括具有第四浓度的P型偶极子材料,所述第一浓度高于所述第三浓度,以及所述第二浓度高于所述第四浓度。
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