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申请/专利权人：中国科学院光电技术研究所
摘要：本公开提供了一种I线单组分光刻胶组合物，应用于I线高分辨光刻，包括：有机溶剂；单组分光敏材料，为含有重氮萘醌基团的杯芳烃衍生物分子，具有式I所示的结构：其中，R1为重氮萘醌基团或羟基，式I结构中的R1至少部分为重氮萘醌基团；R2为线性烷烃链及其衍生物、苯基及其衍生物中的一种；n为4、6或8。本公开的单组分光刻胶组合物适用于特征尺寸低于100nm，膜层厚度低于50nm的I线高分辨光刻技术，如I线干涉光刻、近场光刻、SP光刻等，可实现超薄无针孔膜层和良好的衬底粘附性。
主权项：1.一种I线单组分光刻胶组合物，应用于I线高分辨光刻，其特征在于，由有机溶剂和单组分光敏材料组成，或者，由溶解促进剂、流平剂、表面活性剂、稳定剂中的一种或多种的混合物与所述有机溶剂和所述单组分光敏材料组成；所述单组分光敏材料，为含有重氮萘醌基团的杯芳烃衍生物分子，具有式I所示的结构： 式I；其中，R1为1,2-萘醌-2-叠氮-4-磺酰-O-基团和羟基，至少部分为所述1,2-萘醌-2-叠氮-4-磺酰-O-基团，且所述1,2-萘醌-2-叠氮-4-磺酰-O-基团的接枝率为50%-65%；n为4、6或8；R2为正丁基、正戊基、正己基和4-叔丁基苯基中的一种；所述有机溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯、乳酸乙酯或丙二醇单甲基醚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院光电技术研究所 I线单组分光刻胶组合物、制备方法及其图案形成方法
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