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申请/专利权人：武汉新芯集成电路股份有限公司
摘要：本发明提供了一种晶圆切割装置以及晶圆切割方法，晶圆具有多个曝光区以及连接相邻曝光区之间的第一切割道区，曝光区具有多个芯片区以及连接相邻芯片区之间的第二切割道区，且每个曝光区具有至少两种不同面积的芯片区；至少两个拐角相对的曝光区之间的靠近曝光区拐角处的第一切割道区中均形成有对准标记；通过建立晶圆的平面直角坐标系；至少识别两个拐角相对的曝光区之间的靠近曝光区拐角处的第一切割道区中的两个对准标记；计算获得所有的第一切割道区和第二切割道区的理论切割中心；根据计算获得的理论切割中心，向第一切割道区和第二切割道区发射激光，以切割晶圆。本发明的技术方案使得多项目晶圆的切割效率得到明显提高。
主权项：1.一种晶圆切割装置，用于对晶圆进行切割，所述晶圆具有多个曝光区以及连接相邻所述曝光区之间的第一切割道区，所述曝光区具有多个芯片区以及连接相邻所述芯片区之间的第二切割道区，且每个所述曝光区具有至少两种不同面积的所述芯片区；其特征在于，至少两个拐角相对的所述曝光区之间的靠近所述曝光区拐角处的第一切割道区中均形成有对准标记；所述晶圆切割装置包括：坐标系建立单元，用于建立所述晶圆的平面直角坐标系；图像识别单元，用于至少识别两个拐角相对的所述曝光区之间的靠近所述曝光区拐角处的第一切割道区中的两个所述对准标记；数据处理单元，用于根据所述平面直角坐标系以及识别到的所述对准标记，计算获得所有的所述第一切割道区和所述第二切割道区的理论切割中心；激光器，用于根据计算获得的所有的所述第一切割道区和所述第二切割道区的理论切割中心，向所述第一切割道区和所述第二切割道区发射激光，以切割所述晶圆。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉新芯集成电路股份有限公司 晶圆切割装置以及晶圆切割方法
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