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半导体器件 

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申请/专利权人:三星电子株式会社

摘要:一种半导体器件包括:有源图案,所述有源图案位于衬底上;位线结构,所述位线结构位于所述有源图案的中央部分上;第一间隔物结构和第二间隔物结构,所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构分别设置在所述位线结构的第一侧壁和第二侧壁上,所述位线结构的所述第一侧壁和所述第二侧壁在第一方向上面向彼此;下接触插塞,所述下接触插塞位于所述有源图案的相对端部中的每一者上;以及上接触插塞,所述上接触插塞位于所述下接触插塞上。所述上接触插塞可以包括:导电图案;以及导电间隔物,所述导电间隔物覆盖所述导电图案的下表面,其中,所述导电间隔物接触所述第一间隔物结构的外侧壁,并且不接触所述第二间隔物结构的外侧壁。

主权项:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:有源图案,所述有源图案位于衬底上;栅极结构,所述栅极结构在与所述衬底的上表面基本上平行的第一方向上延伸穿过所述有源图案的上部;位线结构,所述位线结构位于所述有源图案的中央部分上,所述位线结构在与所述衬底的所述上表面基本上平行并且与所述第一方向基本上垂直的第二方向上延伸;第一间隔物结构和第二间隔物结构,所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构分别位于所述位线结构的第一侧壁和第二侧壁上,所述第一侧壁和所述第二侧壁是所述位线结构在所述第一方向上的相对侧壁;下接触插塞,所述下接触插塞位于所述有源图案的相对端部中的每一者上;以及上接触插塞,所述上接触插塞位于所述下接触插塞上,所述上接触插塞包括:导电图案;以及导电间隔物,所述导电间隔物覆盖所述导电图案的下表面,所述导电间隔物仅接触所述第一间隔物结构和所述第二间隔物结构当中的所述第一间隔物结构的外侧壁。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体器件

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