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申请/专利权人：闽都创新实验室;福州大学
摘要：本发明提出一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，先制备P4VP（４‑乙烯基吡啶二嵌段共聚物）薄膜，再用DPN（蘸水笔纳米光刻术）法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体（如羧酸、膦酸和硫醇末端的配体）修饰的量子点。在P4VP薄膜上的图案是由于局部质子化形成的，通过静电作用可以吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜。以此为基础可以通过在P4VP薄膜上设计和制备不同尺寸的图案，从而获得亚微米以及纳米级别的量子点薄膜发光像素，通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备出QLED器件。
主权项：1.一种基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法，其特征在于：首先制备P4VP薄膜，再用DPN法制备图案化的P4VP薄膜，最后在P4VP薄膜上旋涂配体修饰的量子点；其中，在P4VP薄膜上的图案是通过局部质子化形成的，通过静电作用吸附由于配体电离而带负电的量子点得到图案化的量子点薄膜；通过转印技术把图案化的量子点薄膜转移到预制QLED基底功能层上，制备获得QLED器件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 闽都创新实验室 福州大学 基于静电吸附量子点制备图案化QLED的方法
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