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光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法 

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申请/专利权人:珠海基石科技有限公司

摘要:本申请提供了一种光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法,光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂,所述添加剂包括抗老化剂;所述抗老化剂包括结构式为的化合物,其中,R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、‑C=O‑R5或‑C=OO‑R6。本申请提供的光致抗蚀剂包含具有环氧结构的抗老化剂,有利于抑制光致抗蚀剂的老化反应,提高光致抗蚀剂的稳定性,延长光致抗蚀剂的储存周期。

主权项:1.一种光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂,所述添加剂包括抗老化剂;所述抗老化剂包括结构式为的化合物,其中,R1、R2、R3和R4独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、-C=O-R5或-C=OO-R6;R5为卤素原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、或取代或未取代的芳基;R6为取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、或取代或未取代的芳基。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 珠海基石科技有限公司 光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法

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