龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明实施例属于半导体制造技术领域，涉及一种半导体结构制作方法及半导体结构，用于解决的接触垫容易断裂的问题。该半导体结构制作方法包括：在衬底上形成导电层，去除部分导电层以形成由多个接触垫构成的接触结构，每一接触垫与一个衬底上的晶体管结构电连接；在形成接触垫之后，通过干法蚀刻的方式去除接触垫背离衬底的顶端上的残留核心；与湿法蚀刻相比，干法蚀刻具有各向异性，在向衬底的方向蚀刻接触垫时，不会对接触垫侧壁以及接触垫侧壁所在平面的其他膜层造成破坏，也就是说，接触垫与绝缘结构背离衬底的表面之间的导电阻挡层不会被破坏，保证了接触垫与绝缘结构之间的连接力，进而避免接触垫断裂。
主权项：1.一种动态随机存储器的制作方法，其特征在于，所述动态随机存储器包括多个存储单元，所述存储单元包括电容结构和晶体管结构，其中，所述制作方法包括：提供衬底，所述衬底内具有多个间隔设置的晶体管结构，所述晶体管结构包括有源区结构，所述衬底上设置有多个间隔设置的导电块，每一导电块与一个所述有源区结构接合；在所述衬底上形成导电层，去除部分所述导电层以形成由多个接触垫构成的接触结构，每一所述接触垫与一个导电块连接，从而实现一个接触垫与一个所述晶体管结构的电连接；其中，所述接触垫包括背离衬底的顶端、朝向衬底的底端以及位于所述顶端和所述底端之间的侧壁，所述顶端用于与所述电容结构电连接，所述底端用于与所述晶体管结构电连接；通过干法蚀刻的方式去除所述接触垫背离所述衬底的顶端上的残留核心。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构制作方法及半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号