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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本申请公开了一种多波段成像芯片及其制作方法、一种传感器及其制作方法，该多波段成像芯片的制作方法包括：形成施主衬底，施主衬底包括：第一衬底，位于第一衬底表面的第一本征锗层，位于第一本征锗层远离第一衬底一侧的传感层、位于传感层远离第一本征锗层一侧的第一接触层以及位于第一接触层远离传感层一侧的第一键合层，第一键合层为导热层；形成受主衬底，受主衬底包括第二衬底以及位于第二衬底表面的第二键合层，第二衬底和第二键合层均为导热层；利用第一键合层和第二键合层键合施主衬底和受主衬底。该制作方法可提高多波段成像芯片的散热能力，且结构的复杂度较低，体积、重量和成本也较小。
主权项：1.一种多波段成像芯片的制作方法，其特征在于，包括：形成施主衬底，所述施主衬底包括：第一衬底，位于所述第一衬底表面的第一本征锗层，位于所述第一本征锗层远离所述第一衬底一侧的传感层、位于所述传感层远离所述第一本征锗层一侧的第一接触层以及位于所述第一接触层远离所述传感层一侧的第一键合层，所述第一键合层为导热层；形成受主衬底，所述受主衬底包括第二衬底以及位于所述第二衬底表面的第二键合层，所述第二衬底和所述第二键合层均为导热层；利用所述第一键合层和所述第二键合层键合所述施主衬底和所述受主衬底；去除所述第一衬底，并对所述第一本征锗层进行掺杂形成第二接触层，所述第二接触层和所述第一接触层的掺杂类型不同。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广州诺尔光电科技有限公司 多波段成像芯片及其制作方法以及传感器及其制作方法
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