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申请/专利权人：度亘核芯光电技术(苏州)有限公司;苏州度亘垂腔芯片技术有限公司

摘要：本发明提供了一种芯片及其制备方法，涉及半导体激光器的技术领域，芯片包括：半导体层结构、介质层、导电结构和散热结构，半导体层结构的顶层为欧姆接触层；半导体层结构的顶面具有脊波导结构；介质层覆盖半导体层结构的顶面；沿第一方向，芯片包括靠近前腔面的第一部分和远离前腔面的第二部分；介质层包括属于第一部分的第一介质层，以及属于第二部分的第二介质层；第二介质层具有与脊波导结构位置对应的窗口，导电结构通过窗口与第二部分的欧姆接触层的顶面连接；第一介质层的厚度h1小于第二介质层的厚度h2；第一介质层的顶面上设置有散热结构，散热结构的热导率高于介质层的热导率；导电结构与散热结构间隔设置，以形成隔热间隙。

主权项：1.一种芯片，其特征在于，包括：半导体层结构（15）、介质层、导电结构（8）和散热结构（9）；所述半导体层结构（15）的顶层为欧姆接触层（7）；所述半导体层结构（15）的顶面具有脊波导结构（14）；所述介质层覆盖所述半导体层结构（15）的顶面；沿第一方向，所述芯片包括靠近前腔面的第一部分（16）和远离前腔面的第二部分（17）；所述介质层包括属于所述第一部分（16）的第一介质层（12），以及属于所述第二部分（17）的第二介质层（13）；所述第二介质层（13）具有与所述脊波导结构（14）位置对应的窗口（18），所述导电结构（8）通过所述窗口（18）与所述第二部分（17）的欧姆接触层（7）的顶面连接；所述第一方向垂直于所述前腔面；所述第一介质层（12）的厚度h1小于所述第二介质层（13）的厚度h2；所述第一介质层（12）的顶面上设置有所述散热结构（9），所述散热结构（9）的热导率高于所述介质层的热导率；在第二方向上，所述散热结构（9）完全覆盖所述脊波导结构（14），且所述散热结构（9）间隔的两外侧壁中的至少一者位于所述脊波导结构（14）的外侧；所述第二方向分别与所述第一方向和所述半导体层结构（15）的层叠方向垂直；沿所述第一方向，所述导电结构（8）与所述散热结构（9）间隔设置，以形成隔热间隙。

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