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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体装置与制造半导体装置的方法，半导体装置包含栅极结构、源极漏极磊晶结构、前侧互连结构、背侧通孔件、隔离材料及侧壁间隔物。源极漏极磊晶结构在栅极结构的一侧上。前侧互连结构在源极漏极磊晶结构的前侧上。背侧通孔件连接至源极漏极磊晶结构的背侧。隔离材料在背侧通孔件的一侧上且接触栅极结构。侧壁间隔物在背侧通孔件与隔离材料之间。隔离材料的高度大于侧壁间隔物的高度。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一栅极结构；一源极漏极磊晶结构，在该栅极结构的一侧上；一前侧互连结构，在该源极漏极磊晶结构的一前侧上；一背侧通孔件，连接至该源极漏极磊晶结构的一背侧；一隔离材料，在该背侧通孔件的一侧上且接触该栅极结构；以及一侧壁间隔物，在该背侧通孔件与该隔离材料之间，其中该隔离材料的一高度大于该侧壁间隔物的一高度。
全文数据：
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置与制造半导体装置的方法
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