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申请/专利权人：上海功成半导体科技有限公司
摘要：本发明提供一种超结器件及制作方法，方法包括：1提供第一衬底，所述第一衬底包括第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻‑刻蚀工艺在第一衬底的第一主面刻蚀出沟槽，沟槽呈倒梯形；2将第一衬底与第二衬底键合；3减薄第一衬底，并保留一支撑层；4氧化支撑层，腐蚀去除氧化层，以显露沟槽；5基于与所述光掩模图形相同的硬掩膜版，对沟槽的底部进行刻蚀，以增大沟槽的底部宽度，使沟槽的形貌概呈矩形。本发明通过自宽度较小的沟槽底部进行刻蚀，以增大该沟槽底部的尺寸，从而使得该沟槽呈矩形，从而缩小超结结构中的P型柱和N型柱的电荷差距，使超结器件达到电荷平衡，从而提高超结器件的耐压性能及降低超结器件的导通电阻。
主权项：1.一种超结器件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：1提供第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一主面及第二主面，基于光掩模，通过光刻-刻蚀工艺在所述第一衬底的第一主面刻蚀出沟槽，所述沟槽呈倒梯形；2提供第二衬底，将所述第一衬底的第一主面与所述第二衬底键合；3自所述第一衬底的第二主面减薄所述第一衬底，使所述第一衬底的第二主面与所述沟槽之间保留一支撑层；4氧化所述支撑层形成氧化层，并通过腐蚀去除所述氧化层，以显露所述沟槽；5基于与步骤1的所述光掩模图形相同的硬掩膜版，通过所述硬掩膜版与所述沟槽对准后，直接对所述沟槽的底部进行刻蚀，以增大所述沟槽的底部宽度，使所述沟槽的形貌概呈矩形；6所述第一衬底为第一导电类型掺杂，于所述沟槽中填充第二导电类型掺杂的半导体材料层，以与所述第一衬底共同形成超结结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 超结器件及制作方法
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