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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了一种半导体器件包括：栅电极，在与衬底上表面垂直的第一方向上彼此间隔开，并且在与第一方向垂直的第二方向上延伸不同的长度。该器件还包括：第一沟道和第二沟道，穿透栅电极并在第一方向上延伸；水平部分，设置在栅电极的下部中，并且将第一沟道和第二沟道的下部彼此连接；以及源极线，设置在第二沟道的上部中并连接到第二沟道。栅电极包括存储器单元中包括的存储器单元电极、设置在存储器单元电极的下部中的第一接地选择电极、设置在存储器单元电极的上部中的第二接地选择电极、以及设置在存储器单元电极的上部中的串选择电极。
主权项：1.一种半导体器件，包括：多个栅电极，在与衬底的上表面垂直的第一方向上彼此间隔开并堆叠，并且在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸不同的长度；第一沟道和第二沟道，穿透所述栅电极并在所述第一方向上延伸；水平部分，设置在所述栅电极的下部中，并且将所述第一沟道和所述第二沟道的下部彼此连接；以及源极线，设置在所述第二沟道的上部中并连接到所述第二沟道，其中，所述栅电极包括：存储器单元中包括的存储器单元电极、设置在所述存储器单元电极的下部中的第一接地选择电极、设置在所述存储器单元电极的上部中的第二接地选择电极、以及设置在所述存储器单元电极的上部中的串选择电极。
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