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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型提供一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET；包括：一碳化硅衬底，一漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面；一阱区，所述阱区设于所述漂移层上，所述阱区上设有源区；一金属硅化物层，所述金属硅化物层设于所述源区上；一绝缘层，所述绝缘层连接至所述漂移层；一源极金属层，所述源极金属层连接至所述金属硅化物层；一栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述绝缘层；以及，一漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET的制作方法，降低了碳化硅MOSFET的导通电阻，使得器件的回路功耗变小。
主权项：1.一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET，其特征在于，包括：一碳化硅衬底，一漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底上侧面；一阱区，所述阱区设于所述漂移层上，所述阱区上设有源区；一金属硅化物层，所述金属硅化物层设于所述源区上；一绝缘层，所述绝缘层连接至所述漂移层；一源极金属层，所述源极金属层连接至所述金属硅化物层；一栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述绝缘层；以及，一漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种低源极接触电阻的平面栅碳化硅MOSFET
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