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申请/专利权人：杭州芯迈半导体技术有限公司

摘要：本发明提供一种具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，在普通SGT器件中集成了MGD结构，其中，基底所在平面划分有沿预设方向交替设置的屏蔽栅沟槽型晶体管区域与MOS栅控二极管区域，两种区域中分别设有第一沟槽与第二沟槽，MGD结构包括位于第二沟槽中的第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅多晶硅层、第二隔离层、第三屏蔽栅氧化层与第三屏蔽栅多晶硅层，第二屏蔽栅多晶硅层与第三屏蔽栅多晶硅层均接源极电位。本发明可降低器件源漏电压Vsd，同时降低反向恢复电荷Qrr与反向恢复时间Trr，有助于提高电路效率，其中，在器件关断的时候，电路提供抽取电流，将反向恢复电荷Qrr从外延层中抽取至MGD结构的上层多晶硅层排出。

主权项：1.一种具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一基底，所述基底包括N型衬底与位于所述N型衬底上的N型外延层，所述基底所在平面划分有沿预设方向交替设置的屏蔽栅沟槽型晶体管区域与MOS栅控二极管区域；形成第一沟槽与第二沟槽于所述N型外延层中，所述第一沟槽位于所述屏蔽栅沟槽型晶体管区域，所述第二沟槽位于所述MOS栅控二极管区域；在所述第一沟槽中形成第一屏蔽栅氧化层、第一屏蔽栅多晶硅层与第一隔离层，在所述第二沟槽中形成第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅多晶硅层与第二隔离层；在所述第一沟槽中形成控制栅氧化层与控制栅多晶硅层，在所述第二沟槽中形成第三屏蔽栅氧化层与第三屏蔽栅多晶硅层；形成P型体区、N型源区与源极金属层，所述P型体区位于所述N型外延层的上表层，所述N型源区位于所述P型体区的上表层，所述源极金属层与所述P型体区及所述N型源区电连接，其中，所述控制栅多晶硅层位于所述第一屏蔽栅多晶硅层上方并与所述第一屏蔽栅多晶硅层之间通过所述第一隔离层相互间隔，所述第一屏蔽栅氧化层位于所述第一屏蔽栅多晶硅层的外壁与所述第一沟槽的内壁之间，所述控制栅氧化层位于所述控制栅多晶硅层的外壁与所述第一沟槽的内壁之间；所述第三屏蔽栅多晶硅层位于所述第二屏蔽栅多晶硅层上方并与所述第二屏蔽栅多晶硅层之间通过所述第二隔离层间隔，所述第二屏蔽栅氧化层位于所述第二屏蔽栅多晶硅层的外壁与所述第二沟槽的内壁之间，所述第三屏蔽栅氧化层位于所述第三屏蔽栅多晶硅层的外壁与所述第二沟槽的内壁之间；所述第一屏蔽栅多晶硅层、所述第二屏蔽栅多晶硅层与所述第三屏蔽栅多晶硅层均接源极电位。

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