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申请/专利权人:中国科学院微电子研究所
摘要:本发明公开一种碳化硅沟槽刻蚀方法,涉及半导体器件制造技术领域,以解决微沟槽结构导致碳化硅器件耐压能力下降、可靠性降低的问题。所述碳化硅沟槽刻蚀方法包括在SiC衬底上刻蚀形成第一SiC沟槽,第一SiC沟槽的底部具有微沟槽结构;对第一SiC沟槽的底部进行刻蚀,形成第二SiC沟槽,以消除微沟槽结构。
主权项:1.一种碳化硅沟槽刻蚀方法,其特征在于,包括:在SiC衬底上刻蚀形成第一SiC沟槽,所述第一SiC沟槽的底部具有微沟槽结构;对所述第一SiC沟槽的底部进行刻蚀,形成第二SiC沟槽,以消除所述微沟槽结构。
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百度查询: 中国科学院微电子研究所 一种碳化硅沟槽刻蚀方法
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