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摘要：一种双沟槽型的SiCMOSFET器件及其制备方法。涉及半导体技术领域。包括如下步骤：S100，在N+衬底层上形成N‑外延层和PW区；S200，在PW区上刻蚀形成若干间隔设置的栅极沟槽区；S300，在PW区上通过Al离子注入形成P+区，并在P+区的侧部通过离子注入形成N+区（6）；S400，在P+区上通过刻蚀形成源极沟槽区，并在源极沟槽区内侧壁形成欧姆接触合金；S500，在栅极沟槽区的侧壁和底部淀积栅氧层，并通过Poly层填充，作为栅电极引出；S600，在N‑外延层上形成隔离介质层；并在隔离介质层的侧部形成欧姆接触合金层，与P+区和N+区的上方形成欧姆接触；本发明通过在源区引入沟槽结构，抑制了栅氧化层处的峰值电场，改善沟槽MOSFET栅氧化层可靠性问题。
主权项：1.一种双沟槽型的SiCMOSFET器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S100，在N+衬底层（1）上形成N-外延层（2）和PW区（3）；S200，在PW区（3）上刻蚀形成若干间隔设置的栅极沟槽区（4）；S300，在PW区（3）上通过Al离子注入形成P+区（5），并在P+区（5）的侧部通过离子注入形成N+区（6）；S400，在P+区（5）上通过刻蚀形成源极沟槽区（7），并在源极沟槽区（7）内侧壁形成欧姆接触合金（8）；S500，在栅极沟槽区（4）的侧壁和底部淀积栅氧层（9），并通过Poly层（10）填充，作为栅电极引出；S600，在N-外延层（2）上形成隔离介质层（11）；并在隔离介质层（11）的侧部形成欧姆接触合金层（12），与P+区（5）和N+区（6）的上方形成欧姆接触；S700，在隔离介质层（11）、欧姆接触合金层（12）上方以及源极沟槽区（7）内通过Al金属溅射的方式形成正面电极金属层（13），作为源电极引出。
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