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摘要：本申请涉及电力电子技术领域，提供用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法。所述方法包括：通过栅极驱动器，配置电流强度；通过栅极电阻预测组件，对电流强度进行处理，获得预测电阻值；通过栅极驱动时长预测组件，处理电流强度，获得预测驱动时长；根据电流强度结合预测驱动时长进行功耗分析，获得驱动功耗预测值；当预测电阻值满足阈值且预测驱动时长小于或等于阈值且驱动功耗预测值小于或等于阈值，根据电流强度进行栅极驱动控制。本申请解决了由于栅极电阻和驱动时长的不确定性，导致控制效率低下和功耗过高的技术问题，实现了通过动态调整栅极驱动参数，自动预测并优化驱动时长和功耗，提高MOSFET的工作效率和能源利用率的效果。
主权项：1.用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法，其特征在于，包括：通过栅极驱动器，配置第一阶段电流强度、第二阶段电流强度、第三阶段电流强度；通过MOSFET栅极电阻预测组件，对所述第一阶段电流强度、所述第二阶段电流强度、所述第三阶段电流强度进行处理，获得MOSFET栅极预测电阻值；通过MOSFET栅极驱动时长预测组件，对所述第一阶段电流强度、所述第二阶段电流强度、所述第三阶段电流强度进行处理，获得MOSFET栅极预测驱动时长；根据所述第一阶段电流强度、所述第二阶段电流强度、所述第三阶段电流强度，结合所述MOSFET栅极预测驱动时长进行功耗分析，获得驱动功耗预测值；当所述MOSFET栅极预测电阻值满足电阻值阈值，且所述MOSFET栅极预测驱动时长小于或等于驱动时长阈值，且所述驱动功耗预测值小于或等于驱动功耗阈值，根据所述第一阶段电流强度、所述第二阶段电流强度、所述第三阶段电流强度进行MOSFET栅极驱动控制。
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权利要求：
百度查询： 浙江广芯微电子有限公司 用于MOSFET栅极驱动的自适应控制方法
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