龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：本发明提供一种栅极堆叠结构的制作方法，包括：于半导体层上依次形成高介电常数材料层和栅电极材料层；基于图案化的栅极掩膜层，对栅电极材料层进行刻蚀，形成栅电极层，所得的栅电极层的侧壁形成有刻蚀副产物；去除刻蚀副产物；基于图案化的栅极掩膜层，对高介电常数材料层进行各向异性刻蚀，形成高介电常数栅介质层，所得的高介电常数栅介质层的侧壁与栅电极层的侧壁对齐；于栅电极层和高介电常数栅介质层的侧壁形成侧墙。本发明能够形成具有垂直侧壁的高k栅介质层，有效避免高k介质层未被侧墙覆盖而受到化学侵蚀影响，改善半导体器件的可靠性。
主权项：1.一种栅极堆叠结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一衬底，所述衬底上形成有半导体层，于所述半导体层上依次形成高介电常数材料层和栅电极材料层；基于图案化的栅极掩膜层，对所述栅电极材料层进行刻蚀，形成栅电极层，所得的栅电极层的侧壁形成有刻蚀副产物；去除所述刻蚀副产物；基于图案化的栅极掩膜层，对所述高介电常数材料层进行各向异性刻蚀，形成高介电常数栅介质层，所得的高介电常数栅介质层的侧壁与所述栅电极层的侧壁对齐；于所述栅电极层和所述高介电常数栅介质层的侧壁形成侧墙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆芯联微电子有限公司 栅极堆叠结构的制作方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号