龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
摘要：对于GAA纳米片器件，提供了一种半导体结构100和制造方法。所述半导体结构100包括衬底101和所述衬底101上的栅极叠层，其中，所述栅极叠层具有相互交替地布置的多个栅极区域103和硅基沟道区域102。所述栅极区域103的长度小于所述沟道区域102的长度。因此，凹穴104形成在所述栅极叠层的一侧上，每个凹穴104布置在一个栅极区域103的旁边并且在邻近所述栅极区域103的两个沟道区域102之间。此外，第一硅基接触区域105在距所述栅极叠层的所述一侧的一段距离内延伸，硅基填充材料106布置在所述第一接触区域105和所述栅极叠层的第一侧之间，并且位于每个第一凹穴104中。
主权项：1.一种半导体结构100，其特征在于，包括：衬底101；布置在所述衬底101上的栅极叠层，所述栅极叠层包括多个栅极区域103和多个硅基沟道区域102，所述多个栅极区域103和所述多个硅基沟道区域102沿着第一方向Z相互交替地布置，其中，所述栅极区域103在垂直于所述第一方向Z的第二方向X上的长度小于所述沟道区域102的长度，其中，多个第一凹穴104形成在所述栅极叠层的第一侧上，每个第一凹穴104布置在一个栅极区域103的旁边并且在邻近所述栅极区域103的两个沟道区域102之间；第一硅基接触区域105，沿着所述第一方向Z在距所述栅极叠层的所述第一侧的一段距离内延伸；硅基填充材料106，布置在所述第一接触区域105与所述栅极叠层的所述第一侧之间，并且位于每个第一凹穴104中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 全环绕栅极纳米片器件的半导体结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号