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摘要：本公开的实施例涉及半导体器件。提供一种能够提高工作裕度的半导体器件。该半导体器件包括存储器电路，其包括由SOTB晶体管构成的存储器单元；以及模式指定电路，其针对第一模式或第二模式切换存储器电路的操作模式。该存储器电路包括衬底偏置生成电路，其向SOTB晶体管供应衬底偏置电压；以及定时信号生成电路，其生成用于存储器电路的读取操作或写入操作的定时信号。在第二模式下，衬底偏置生成电路不向SOTB晶体管供应衬底偏置电压。
主权项：1.一种半导体器件，包括：存储器电路，包括由薄埋氧化物上硅SOTB晶体管构成的存储器单元；以及模式指定电路，针对第一模式或第二模式切换所述存储器电路的操作模式，其中所述存储器电路包括：衬底偏置生成电路，在所述第一模式下向所述SOTB晶体管提供衬底偏置电压，其中所述衬底偏置生成电路在所述第二模式下不向所述SOTB晶体管提供所述衬底偏置电压；以及定时信号生成电路，生成用于所述存储器电路的读取操作或写入操作的定时信号，其中所述定时信号生成电路在所述第一模式下使用第一延迟级生成第一定时信号，并且在所述第二模式下使用第二延迟级生成第二定时信号，并且其中所述定时信号生成电路包括选择器电路，所述选择器电路用于切换所述第一定时信号和所述第二定时信号的输出，使得在所述第一模式下从所述第一延迟级输出所述第一定时信号，并且在所述第二模式下从所述第二延迟级输出所述第二定时信号。
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