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摘要：提供了一种非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储器系统。该非易失性存储器件可以包括：衬底，其具有单元区域和连接区域；电极结构，其包括堆叠在所述衬底上的电极和覆盖所述电极当中的最上面的电极的绝缘图案；垂直结构，其在所述单元区域中穿过所述电极结构与所述衬底连接；填充绝缘层，其在所述连接区域中覆盖所述电极结构；缓冲绝缘层，其位于覆盖绝缘层上；导电图案；以及上半导体图案，其穿过所述缓冲绝缘层与所述导电图案连接。覆盖绝缘层可以覆盖电极结构、垂直结构和填充绝缘层，并且可以包括位于单元区域中的贯穿孔和位于连接区域中的至少一个贯穿开口。导电图案可以具有位于贯穿孔中的至少一部分，并且可以与垂直结构连接。
主权项：1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：衬底，所述衬底包括单元区域和连接区域；电极结构，所述电极结构包括堆叠在所述衬底上的电极和覆盖所述电极当中的最上面的电极的绝缘图案；垂直结构，所述垂直结构在所述单元区域中穿过所述电极结构与所述衬底连接；填充绝缘层，所述填充绝缘层在所述连接区域中覆盖所述电极结构；覆盖绝缘层，所述覆盖绝缘层覆盖所述电极结构、所述垂直结构和所述填充绝缘层，所述覆盖绝缘层包括位于所述单元区域中的贯穿孔和位于所述连接区域中的至少一个贯穿开口；缓冲绝缘层，所述缓冲绝缘层位于所述覆盖绝缘层上；导电图案，所述导电图案具有位于所述贯穿孔中的至少一部分并且与所述垂直结构连接；以及上半导体图案，所述上半导体图案穿过所述缓冲绝缘层与所述导电图案连接，其中，所述至少一个贯穿开口的最大水平宽度大于所述贯穿孔的水平宽度。
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百度查询： 三星电子株式会社 非易失性存储器件和包括非易失性存储器件的存储器系统
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