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摘要：本发明公开了一种半导体器件及双向功率器件。该半导体器件包括衬底、外延层、栅极结构、第一绝缘层、场板结构、过孔结构和导电填充层；外延层位于衬底的一侧；栅极结构位于外延层远离衬底的一侧；第一绝缘层位于栅极结构远离外延层的一侧；场板结构设置于第一绝缘层远离栅极结构的一侧；过孔结构贯穿第一绝缘层和外延层，且露出部分衬底；导电填充层位于过孔结构内，以将场板结构与衬底电连接；半导体器件还包括源极和漏极，场板结构与源极和或漏极均未电连接。本发明实施例的技术方案可在实现对漂移区电场的有效管理下，降低栅极电容，提高器件的开关速度，降低电能损耗。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；外延层，所述外延层位于所述衬底的一侧；栅极结构，所述栅极结构位于所述外延层远离所述衬底的一侧；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述栅极结构远离所述外延层的一侧；场板结构，所述场板结构设置于所述第一绝缘层远离所述栅极结构的一侧；过孔结构，所述过孔结构贯穿所述第一绝缘层和所述外延层，且露出部分所述衬底；导电填充层，所述导电填充层位于所述过孔结构内，以将所述场板结构与所述衬底电连接；所述半导体器件还包括源极和漏极，所述场板结构与所述源极和或所述漏极均未电连接。
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百度查询： 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 一种半导体器件及双向功率器件
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