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摘要：提供一种包括微细尺寸的晶体管的半导体装置。其中第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层包括与第一导电层重叠的第一开口，第三导电层设置在第二导电层上，第三导电层包括与第一开口重叠的第二开口，第一绝缘层与第二导电层所包括的第一开口的侧壁接触，半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第三导电层的顶面接触，第二绝缘层设置在半导体层上，第四导电层设置在第二绝缘层上，第一绝缘层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与半导体层夹持的区域，半导体层包括由第二导电层所包括的第一开口的侧壁与第四导电层夹持的区域。
主权项：1.一种半导体装置，包括：半导体层；第一导电层；第二导电层；第三导电层；第四导电层；第一绝缘层；以及第二绝缘层，其中，所述第二导电层设置在所述第一导电层上，所述第二导电层包括与所述第一导电层重叠的第一开口，所述第三导电层设置在所述第二导电层上，所述第三导电层包括与所述第一开口重叠的第二开口，所述第一绝缘层与所述第二导电层所包括的所述第一开口的侧壁接触，所述半导体层与所述第一导电层的顶面、所述第一绝缘层的侧面及所述第三导电层的顶面接触，所述第二绝缘层设置在所述半导体层上，所述第四导电层设置在所述第二绝缘层上，所述第一绝缘层包括由所述第二导电层所包括的所述第一开口的侧壁与所述半导体层夹持的区域，并且，所述半导体层包括由所述第二导电层所包括的所述第一开口的侧壁与所述第四导电层夹持的区域。
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百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及半导体装置的制造方法
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