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摘要：提供实现高寿命预测精度的半导体装置及逆变器装置。半导体装置具有半导体芯片1、第1发射极电极3、第2发射极电极4、第3发射极电极5、第1发射极配线6、第2发射极配线7及多个第3发射极配线8。第1发射极配线将第1发射极电极3和半导体芯片1的发射极图案9连接。第2发射极配线将第2发射极电极4和半导体芯片1的发射极图案9连接。多个第3发射极配线将第3发射极电极5和半导体芯片1的发射极图案9连接。第2发射极配线的直径大于第1发射极配线的直径及多个第3发射极配线的每一者的直径。第1发射极配线设置于远离多个第3发射极配线的位置处。
主权项：1.一种半导体装置，其具有：半导体芯片，其包含发射极图案；第1发射极电极；第2发射极电极；第3发射极电极；第1发射极配线，其将所述第1发射极电极和所述半导体芯片的所述发射极图案连接；第2发射极配线，其将所述第2发射极电极和所述半导体芯片的所述发射极图案连接；以及多个第3发射极配线，它们将所述第3发射极电极和所述半导体芯片的所述发射极图案连接，所述第2发射极配线的直径大于所述第1发射极配线的直径及所述多个第3发射极配线的每一者的直径，所述第1发射极配线设置于远离所述多个第3发射极配线的位置处。
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百度查询： 三菱电机株式会社 半导体装置及逆变器装置
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