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摘要：本发明提供了一种半导体结构及功率半导体器件，包括衬底，位于衬底一侧的外延层和栅极结构；位于外延层中的阱区，且阱区位于栅极结构的两侧；位于阱区中的源极区、掺杂区和埋层，源极区和掺杂区自外延层远离衬底的表面向外延层内延伸，埋层位于源极区靠近衬底的一侧；位于衬底另一侧的漏极；衬底、外延层和源极区的掺杂类型为第一类型，阱区、掺杂区和埋层的掺杂类型为第二类型。这样，阱区中源极区下方的电阻区因埋层和掺杂区的存在，整体浓度增大，电阻减小，产生的正向压降小于寄生晶体管的正偏置电压，寄生晶体管断开，空穴电流沿阱区、埋层、掺杂区和源极的路径流出，避免了因雪崩击穿导致器件失效的风险，进而提高功率半导体器的可靠性。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底一侧的外延层；位于所述外延层上的栅极结构，所述栅极结构包括层叠设置的栅极介质层和栅极；位于所述外延层中的阱区，且所述阱区位于所述栅极结构的两侧；位于所述阱区中的源极区、掺杂区和埋层，其中所述源极区和掺杂区自所述外延层远离所述衬底的表面向所述外延层内延伸，所述埋层位于所述源极区靠近所述衬底的一侧；位于所述衬底另一侧的漏极；其中，所述衬底、所述外延层和所述源极区的掺杂类型为第一类型，所述阱区、所述掺杂区和所述埋层的掺杂类型为第二类型，第一类型和第二类型不同。
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百度查询： 北京燕东微电子科技有限公司 半导体结构及功率半导体器件
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