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摘要：本公开的各实施例涉及半导体器件。提供了一种能够抑制击穿电压的变化的半导体器件。该半导体器件包括半导体衬底、绝缘膜、第一电极和第二电极和半绝缘膜。该半导体衬底具有第一表面。在平面图中，该半导体衬底具有元件区和围绕该元件区的终端区。该半导体衬底具有形成在该终端区中的第一表面上的第一杂质区。在平面图中，该半绝缘膜被设置为在该第一电极与该第二电极之间的该绝缘膜之上延伸。该半绝缘膜包括硅和氮。
主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；绝缘膜；第一电极和第二电极；以及半绝缘膜，其中所述半导体衬底包括第一表面；其中在平面图中，所述半导体衬底包括元件区和围绕所述元件区的终端区；其中所述半导体衬底包括第一杂质区，所述第一杂质区形成在所述终端区中的所述第一表面上；其中所述绝缘膜覆盖所述终端区中的所述第一表面；其中所述第一电极被电连接到所述第一杂质区并且面向所述第一杂质区，其中所述绝缘膜被插入所述第一电极与所述第一杂质区之间；其中所述第二电极被设置在所述绝缘膜上，以便在平面图中围绕所述第一电极同时与所述第一电极间隔开；其中所述半绝缘膜被设置为在平面图中跨所述第一电极与所述第二电极之间的所述绝缘膜而延伸；其中所述半绝缘膜包括硅和氮；其中所述半绝缘膜中的硅原子数与所述硅原子数和氮原子数之和的比率为0.64或大于0.64。
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