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摘要：本发明涉及半导体器件及半导体器件的制造方法。本发明一实施例的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成薄膜结构体；在上述薄膜结构体形成沟槽；形成覆盖上述沟槽的至少一部分的粘连层；在上述粘连层上形成电荷存储层；将碳掺杂在上述电荷存储层；在上述电荷存储层上形成隧道层；以及形成覆盖上述隧道层和上述基板的沟道层。在半导体器件的制造过程中，本发明实施例可提高电荷存储层的共形性。
主权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成薄膜结构体；在上述薄膜结构体形成沟槽；形成覆盖上述沟槽的至少一部分的阻挡层；在上述阻挡层上形成电荷存储层；将碳掺杂在上述电荷存储层；在上述电荷存储层上形成隧道层；以及形成覆盖上述隧道层和上述基板的沟道层。
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百度查询： 株式会社HPSP 半导体器件及半导体器件的制造方法
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