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摘要：本公开提供一种IGBT及其制造方法，所述IGBT包括：集电极、P1集电区和P2集电区；所述P1集电区与所述P2集电区位于所述集电极的上方，并且所述P1集电区与所述P2集电区间隔排列；所述P2集电区的P型杂质浓度大于所述P1集电区的P型杂质浓度。本公开由于背面集电区进行了二次重掺杂，第一次掺杂浓度P1集电区比较低，第二次掺杂浓度P2集电区比较高，在IGBT器件导通时，集电极的发射效率较高，导通压降较低，关断时，漂移区底部的少子可以被快速的抽取，关断损耗较低，此结构优化了导通损耗和关断损耗的折中。
主权项：1.一种IGBT，其特征在于，所述IGBT包括：集电极、P1集电区和P2集电区；所述P1集电区与所述P2集电区位于所述集电极的上方，并且所述P1集电区与所述P2集电区间隔排列；所述P2集电区的P型杂质浓度大于所述P1集电区的P型杂质浓度。
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百度查询： 上海贝岭股份有限公司 IGBT及其制造方法
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