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摘要：本发明提供了一种屏蔽栅功率器件及制备方法，该屏蔽栅功率器件的制备方法，包括：提供半导体层；于所述半导体层内形成沟槽；于所述沟槽内形成屏蔽栅极，其中所述屏蔽栅极的上表面低于所述沟槽的顶面，所述屏蔽栅极接近所述栅极一侧的部分材料被去处以形成至少一个凹槽；于所述沟槽内形成栅极，所述栅极位于所述屏蔽栅极的上方。本发明的屏蔽栅功率器件的制备方法，通过在屏蔽栅极结构上设置至少一个凹槽，减小了栅极和屏蔽栅极间的相对面积，从而减小极板间电容Cgs，输入电容减小，开关速度加快，损耗降低。
主权项：1.一种屏蔽栅功率器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体层；于所述半导体层内形成沟槽；于所述半导体层的上表面所述沟槽的侧壁及底部形成场氧化材料层；屏蔽栅极形成于所述场氧化材料层远离所述半导体层的表面；于所述场氧化材料层上填充屏蔽栅极材料以形成屏蔽栅极材料层；于所述屏蔽栅极材料层上淀积氮化硅材料并且回刻以形成氮化硅侧墙；刻蚀所述屏蔽栅极材料层，未被所述氮化硅侧墙覆盖保护的区域被去处材料形成凹槽，所述屏蔽栅极材料层被刻蚀为带有凹槽的屏蔽栅极；其中所述屏蔽栅极的上表面低于所述沟槽的顶面，所述屏蔽栅极接近所述栅极一侧的部分材料被去处以形成至少一个凹槽；于所述沟槽内形成栅极，所述栅极位于所述屏蔽栅极的上方。
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百度查询： 上海功成半导体科技有限公司 一种屏蔽栅功率器件制备方法以及屏蔽栅功率器件
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