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摘要：本发明提供了基于不同高度MOS栅极硬掩模的去除方法，先于半导体衬底上填充有机平坦层，后对有机平坦层进行第一回刻，使第一硬掩模层暴露出来，在去除第一硬掩模层后，对有机平坦层进行第二回刻，使第二硬掩模层暴露出来，后覆盖光阻于第一栅极表面，在去除第二硬掩模层后，去除残留的有机平坦层及光阻，完成硬掩模的去除。当存在3个或3个以上不同高度栅极晶体管时，可针对不同高度的晶体管分组组合，以通过多步回刻有机平坦层、去除硬掩模层、覆盖光阻于已完成去除硬掩模层的栅极的方式，最终完成具有不同栅极高度的硬掩模层的去除，在此过程中栅极侧壁和表面可被有机平坦层和光阻保护，减缓了栅极的侧壁和表面的损伤，提高器件的电学性能。
主权项：1.一种基于不同高度MOS栅极硬掩模的去除方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，提供半导体基板，所述半导体基板包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的第一栅极、第二栅极、第一硬掩模层及第二硬掩模层；其中，所述第一栅极包括自下而上堆叠的第一栅极氧化层、第一控制栅，以及包覆所述第一控制栅的第一栅极侧壁；所述第二栅极包括自下而上堆叠的第二栅极氧化层、第二控制栅，以及包覆所述第二控制栅的第二栅极侧壁；所述第一硬掩模层位于所述第一控制栅上，且覆盖所述第一控制栅的顶面，所述第二硬掩模层位于所述第二控制栅上，且覆盖所述第二控制栅的顶面；且所述第一栅极氧化层与所述第二栅极氧化层具有厚度差，使得覆盖的所述第一硬掩模层高于所述第二硬掩模层；S2，于所述半导体衬底上形成覆盖所述第一栅极、所述第二栅极、所述第一硬掩模及所述第二硬掩模的有机平坦层；S3，采用干法刻蚀对所述有机平坦层进行第一回刻，以完全显露所述第一硬掩模层；S4，去除所述第一硬掩模层；S5，采用干法刻蚀对所述有机平坦层进行第二回刻，以完全显露所述第二硬掩模层；S6，于所述有机平坦层上形成包覆所述第一栅极的光阻；S7，去除所述第二硬掩模层；S8，去除所述有机平坦层及所述光阻。
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