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摘要：用于生产半导体器件100的方法包括在半导体本体1的顶侧10上为半导体本体提供掩模3。第一和第二沟槽2从顶侧延伸到半导体本体中。将功能部分11布置在沟槽之间。掩模包括两个第一区段31和第二区段32。掩模在第一区段中的厚度大于在第二区段中的厚度。在顶侧的平面图中，第二区段与功能部分重叠，并且第一区段分别与沟槽之一重叠。在另一步骤中，在与第一沟槽2直接相邻的功能部分中形成第一导电类型第一分区12。这包括通过使用定向注入方法将第一类型掺杂剂注入到功能部分中，其中以大于0°的注入角度α进行注入。在另一步骤中，在与第二沟槽相邻的功能部分中形成第二导电类型的第二分区13。这包括通过使用定向注入方法将第二类型掺杂剂注入到功能部分中，其中以小于0°的注入角度α进行注入。
主权项：1.一种用于生产半导体器件100的方法，包括：在半导体本体1的顶侧10上为所述半导体本体1提供掩模3，其中，彼此横向间隔开的至少一个第一沟槽和至少一个第二沟槽2从所述顶侧10延伸到所述半导体本体1中，所述半导体本体1的功能部分11被横向布置在所述第一沟槽和所述第二沟槽2之间，所述掩模3包括至少两个第一区段31和横向地位于所述第一区段31之间的至少一个第二区段32，其中，所述掩模3在所述第一区段31中的厚度大于在所述第二区段32中的厚度，在所述顶侧10的平面图中，所述第二区段32与所述功能部分11重叠，并且所述第一区段31分别与所述沟槽2中的一个沟槽重叠；在与所述第一沟槽2相邻的功能部分11中形成第一导电类型的第一分区12，包括：通过使用定向注入方法穿过所述顶侧将第一类型掺杂剂注入到所述功能部分11中，其中以大于0°的注入角度α进行注入；在与所述第二沟槽2相邻的功能部分11中形成第二导电类型的第二分区13，包括：通过使用定向注入方法穿过所述顶侧10将第二类型掺杂剂注入到所述功能部分11中，其中以小于0°的注入角度α进行注入，其中，所述功能部分11包括沿第一横向方向L彼此交替的、具有较大宽度和较小宽度的不同区段。
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百度查询： 日立能源有限公司 用于生产沟槽栅极半导体器件的方法和半导体器件
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