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申请/专利权人：能丰(杭州)光电科技有限公司
摘要：本发明公开了一种薄膜太阳电池电极的湿法掩膜图案化方法及薄膜太阳电池。区别于激光划线、真空图案化沉积、机械划线等电极图案化的干法掩膜方法，本发明采用一类可被溶剂选择性移除的聚合物作为掩膜材料，首先在预沉积基底表面画出掩膜的电极图案，真空溅镀电极薄膜之后用正交溶剂选择性移除聚合物及覆盖其上的电极材料，得到所需的电极图案。该方法适用于多种电极材料或结构，具有操作简单掩膜图案及线宽可灵活变化的特点，并且避免了激光划线掩膜等对活性层半导体和基底的损伤，有助于提高太阳电池的能量转换效率。
主权项：1.一种薄膜太阳电池电极的湿法掩膜图案化方法，其特征在于，在薄膜太阳电池制造过程中，当获得需要溅镀电极的待加工表面后，首先在待加工表面利用可选择性溶解的聚合物材料加工出一层图案化掩膜，所述图案化掩膜中的镂空区域形状和位置与待溅镀电极的形状和位置相同；然后对带有图案化掩膜的待加工表面进行真空溅镀，在图案化掩膜表面以及镂空区域的待加工表面形成溅镀材料薄膜；最后以水或者醇作为正交溶剂，在不破坏待加工表面的情况下对图案化掩膜进行选择性溶解，去除图案化掩膜以及其表面附着的溅镀材料薄膜，保留直接溅镀在待加工表面的溅镀材料薄膜作为电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 能丰(杭州)光电科技有限公司 薄膜太阳电池电极的湿法掩膜图案化方法及薄膜太阳电池
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