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摘要：本发明公开了用于MOSFET的自适应电压调节方法，涉及半导体器件控制技术领域。所述方法包括：监测信号放大电路的第一待放大信号，识别信号特征；检测信号放大电路中MOSFET的元件状态信息；将信号特征和元件状态信息输入增益自适应匹配模块中，获取增益匹配结果；若增益匹配结果为匹配通过，不激活偏置电路；若增益匹配结果为匹配不通过，激活偏置电路，根据增益自适应匹配模块进行自适应反馈分析，获取自适应栅极电压，对MOSFET的栅极进行电压调节。解决了现有技术中MOSFET信号放大电路难以适应动态变化的信号特征，导致信号放大质量较低的技术问题，通过动态调节栅极电压，达到了提高信号放大质量的技术效果。
主权项：1.用于MOSFET的自适应电压调节方法，其特征在于，所述方法包括：监测信号放大电路的第一待放大信号，识别信号特征，包括信号幅度、信号频率和信号增益；检测所述信号放大电路中MOSFET的元件状态信息，其中，所述第一待放大信号通过所述MOSFET进行信号放大；将所述信号特征和所述元件状态信息输入增益自适应匹配模块中，获取增益匹配结果，其中，所述增益匹配结果包括匹配通过和匹配不通过；若所述增益匹配结果为匹配通过，不激活偏置电路；若所述增益匹配结果为匹配不通过，激活所述偏置电路，根据所述增益自适应匹配模块进行自适应反馈分析，获取自适应栅极电压，以所述自适应栅极电压对所述MOSFET的栅极进行电压调节。
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百度查询： 浙江广芯微电子有限公司 用于MOSFET的自适应电压调节方法
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