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摘要：本申请提供一种减小碳化硅MOSFET反向传输电容加工方法，步骤包括：在具有MOSFET结构的碳化硅外延基片正面形成栅氧化层之前，先形成一层与栅氧化层掩膜图形相同结构的阻挡层，以使在栅氧化时能够形成不同厚度的栅氧化层。本申请一种减小碳化硅MOSFET反向传输电容加工方法，可在不增加栅氧化层厚度，也不改变驱动电路的条件下，增大JFET区域上方的氧化层厚度，达到减小反向传输电容的目的。
主权项：1.一种减小碳化硅MOSFET反向传输电容加工方法，其特征在于，步骤包括：在具有MOSFET结构的碳化硅外延基片正面形成栅氧化层之前，先形成一层与栅氧化层掩膜图形相同结构的阻挡层，以使在栅氧化时能够形成不同厚度的栅氧化层。
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百度查询： TCL环鑫半导体(天津)有限公司 一种减小碳化硅MOSFET反向传输电容加工方法
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