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摘要：本发明公开了一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法及装置，应用于集成电路设计领域，包括：根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；将BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOIMOSFET器件模型。通过本发明大幅度提高了背沟道开启情况下的器件模型精度。
主权项：1.一种基于BSIMSOI的FDSOIMOSFET器件建模方法，其特征在于，包括：根据FDSOIMOSFET器件提取正沟道模型参数和背沟道模型参数；基于所述正沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI正沟道器件模型，以及基于所述背沟道模型参数和BSIMSOI标准模型生成BSIMSOI背沟道器件模型；将所述BSIMSOI背沟道器件模型以受控源形式与所述BSIMSOI正沟道器件模型进行连接，以得到目标FDSOIMOSFET器件模型，包括：将正栅压加到所述BSIMSOI背沟道器件模型的背栅上，将背栅压加到所述BSIMSOI背沟道器件模型的正栅上，以及将漏电压加到所述BSIMSOI背沟道器件模型的漏极上；在所述BSIMSOI正沟道器件模型上并联受控源，其中，所述受控源为电压控制电流源或者电流控制电流源；将所述BSIMSOI背沟道器件模型的背沟道电流引入至所述受控源，得到所述目标FDSOIMOSFET器件模型的总电流为所述BSIMSOI背沟道器件模型的电流与所述BSIMSOI正沟道器件模型的电流之和；其中，所述将所述BSIMSOI背沟道器件模型的背沟道电流引入至所述受控源，包括：在所述BSIMSOI背沟道器件模型的漏极设置第一电阻；将所述第一电阻上的电流或者电压引入至所述受控源。
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百度查询： 中国科学院微电子研究所 基于BSIMSOI的FDSOI MOSFET器件建模方法及装置
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