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摘要：本发明公开了一种集成SiC二极管的多沟槽功率器件，包括：至少一个元胞结构，元胞结构包括多个子单元；元胞结构包括第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽与第二沟槽之间设置有第一平面区，第二沟槽与第三沟槽之间设置有第二平面区；第二沟槽内设置有栅极，栅极的外围设置有介质层，第一金属由第一沟槽的底部延伸至第一平面区，第二金属沿第三沟槽的底部延伸至第三沟槽的侧壁，第二平面区设置有屏蔽层，屏蔽层由第二平面区延伸至介质层下方；元胞结构产生的集成SiC二极管的正向导通电流由元胞结构的中心指向元胞结构的外围传输，或由元胞结构的外围指向元胞结构的中心传输，元胞结构呈现单极模式向双极模式过渡。本发明能够提高器件性能。

主权项：1.一种集成SiC二极管的多沟槽功率器件，其特征在于，包括：至少一个元胞结构，所述元胞结构包括多个子单元，所述子单元以所述元胞结构的中心呈中心对称；所述元胞结构包括第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽之间设置有第一平面区，所述第二沟槽与所述第三沟槽之间设置有第二平面区，所述第一沟槽的深度大于所述第三沟槽的深度，所述第三沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度；其中，所述第二沟槽内设置有栅极，栅极的外围设置有介质层，所述第一沟槽的底部设置有第一金属，所述第一金属由所述第一沟槽的底部延伸至所述第一平面区并覆盖在所述第二沟槽的介质层、以及所述第二平面区上，所述第三沟槽的底部设置有第二金属，所述第二金属沿所述第三沟槽的底部延伸至所述第三沟槽的侧壁，所述第二平面区设置有屏蔽层，所述屏蔽层由所述第二平面区延伸至所述介质层下方；其中，所述第一金属为欧姆接触金属，所述第二金属为肖特基接触金属；所述元胞结构还包括第一P+导电区，所述第一P+导电区位于所述第一平面区设置的源极N+导电区内，所述源极N+导电区位于所述第一平面区设置的源极P-导电区内，所述源极P-导电区由第一沟槽底部沿侧壁延伸至所述第一平面区，所述第一沟槽中的第一金属覆盖在第二P+导电区上，所述第二P+导电区位于所述第一沟槽中设置的源极P-导电区内；其中，所述第一P+导电区间隔设置于所述源极N+导电区内；所述元胞结构产生的集成SiC二极管的正向导通电流由所述元胞结构的中心指向所述元胞结构的外围传输，或由所述元胞结构的外围指向所述元胞结构的中心传输，所述元胞结构呈现单极模式向双极模式过渡。

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