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摘要：本发明提供一种沟槽栅器件及其制备方法，该沟槽栅器件包括衬底、沟槽栅结构、掺杂区、阱区、源区、层间介质层、连通区、接触区、上下电极及栅极，其中，沟槽栅结构位于衬底上表层；掺杂区位于相邻两沟槽栅结构之间的衬底中且底面低于沟槽栅结构的底面；阱区位于衬底上表层；源区位于阱区上表层；层间介质层覆盖衬底及沟槽栅结构上表面，掺杂区的正上方设有贯穿层间介质层且底面显露出源区的上电极接触孔；连通区连通掺杂区与阱区；接触区贯穿源区；上电极填充上电极接触孔，栅极与沟槽栅结构电连接，下电极位于衬底的背面。本发明侧壁延伸至沟槽栅结构下方并通过连通区与阱区连通的掺杂区的设置，避免了栅介质层提前击穿，提升了器件的可靠性。
主权项：1.一种沟槽栅器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一第一导电类型衬底，于所述衬底的上表层形成多个间隔设置的沟槽栅结构，并于相邻两个所述沟槽栅结构之间的所述衬底中形成第二导电类型掺杂区，所述掺杂区与所述沟槽栅结构间隔预设距离，且所述掺杂区的底面低于所述沟槽栅结构的底面；于相邻两个所述沟槽栅结构之间的所述衬底的上表层形成第二导电类型阱区及位于所述阱区上表层的第一导电类型源区，所述掺杂区与所述阱区间隔预设距离；形成覆盖所述衬底及所述沟槽栅结构上表面的层间介质层，并形成贯穿所述层间介质层且底面显露出所述源区的上电极接触孔，所述上电极接触孔位于所述掺杂区的正上方；基于所述上电极接触孔形成连通所述掺杂区与所述阱区的第二导电类型连通区及贯穿所述源区的第二导电类型接触区，且所述接触区与所述沟槽栅结构间隔预设距离；形成填充所述上电极接触孔且与所述源区及所述接触区电连接的上电极，形成与所述沟槽栅结构电连接的栅极，于所述衬底的背面形成下电极。
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