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摘要：本公开涉及一种用于抑制泄漏的背侧深沟槽隔离结构。一种像素阵列衬底包含：半导体衬底，其包含像素阵列、第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；保护环区，其在所述半导体衬底中，由经掺杂半导体形成，围封所述像素阵列，且从所述第一侧延伸到所述半导体衬底中；及外围区，其在所述半导体衬底中且围封所述保护环区。所述外围区包含至少一个装置及在所述保护环区与所述至少一个装置之间且接近所述半导体衬底的所述第二侧安置的深沟槽隔离DTI结构区。所述DTI结构区经配置以阻断所述保护环区中的P‑N结与所述至少一个装置之间的电流路径。
主权项：1.一种像素阵列衬底，其包括：半导体衬底，其包含像素阵列、第一侧及与所述第一侧相对的第二侧；保护环区，其在所述半导体衬底中，由经掺杂半导体形成，围封所述像素阵列，且从所述第一侧延伸到所述半导体衬底中；及外围区，其在所述半导体衬底中且围封所述保护环区，其中所述外围区包含：至少一个装置；及深沟槽隔离结构区，其在所述保护环区与所述至少一个装置之间且接近所述半导体衬底的所述第二侧安置，其中所述深沟槽隔离结构区经配置以阻断所述保护环区中的P-N结与所述至少一个装置之间的电流路径。
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百度查询： 豪威科技股份有限公司 用于抑制泄漏的背侧深沟槽隔离结构
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