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摘要：本发明公开了一种刻蚀侧壁光滑SiC沟槽的方法，本发明涉及半导体加工技术领域，刻蚀侧壁光滑SiC沟槽的方法包括样品准备和预处理、样品清洗和干燥、配置刻蚀溶液、进行刻蚀、表面处理、光滑处理和结果分析步骤，本发明的优点在于：通过构建一个综合的刻蚀效果分析数据库，并利用机器学习算法对数据库中的数据进行深度挖掘与分析，挖掘出刻蚀效果与工艺参数之间的复杂关系与潜在规律，从而实现了刻蚀工艺参数的智能化预测与优化，提高了刻蚀实验的准确性和效率，还降低了实验成本和时间消耗，为半导体器件及微纳加工领域的工艺开发提供了强有力的支持。
主权项：1.一种刻蚀侧壁光滑SiC沟槽的方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、样品准备和预处理，准备高质量、表面清洁的SiC衬底样品，对SiC衬底样品进行化学机械抛光处理；步骤二、样品清洗和干燥，将预处理后的SiC衬底样品放入添加有清洗剂的超声波清洗槽中，清洗完成后，将衬底放入洁净的烘箱中烘干；步骤三、配置刻蚀溶液，采用自动移液器精确称取所需的化学试剂，并通过智能搅拌器将配置好的化学试剂搅拌均匀；步骤四、进行刻蚀，对烘干后的SiC衬底样品进行刻蚀；步骤五、表面处理，去除刻蚀好的SiC衬底样品表面的光刻胶，再次进行清洗和干燥；步骤六、光滑处理，采用化学机械拋光技术对SiC衬底样品进行光滑处理，进一步优化沟槽的光滑度；步骤七、结果分析，采用扫描电子显微镜对刻蚀结果进行分析，并建立分析数据库。
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百度查询： 上海微芸半导体科技有限公司 一种刻蚀侧壁光滑SiC沟槽的方法
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